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JANTX1N6101低電容二極管陣列Microsemi

2024-11-21 09:56:12

1N6101是一款低電容隔離二極管陣列，用于保護多達八個I/O端口免受ESD、EFT或浪涌的影響，具有高擊穿電壓、低漏電流、低電容和快速開關速度等特點，適用于高頻數據線、RS-232/RS-422接口網絡、以太網、計算機I/O端口等應用，并符合MIL-PRF-19500/474標準。

JANTX1N6080玻璃功率軍標整流二極管Microsemi

2024-11-21 09:40:08

1N6073至1N6081系列是由Microsemi生產的軍用級超快速恢復玻璃功率整流器，它們以其無空洞密封玻璃封裝、三重鈍化和內部冶金鍵合技術而著稱，適用于需要高可靠性、快速開關和低正向損耗的應用，如軍事設備和開關電源。這些整流器提供3A、6A和12A的額定電流，工作峰值反向電壓從50V到150V，具有出色的熱性能和浪涌電流能力。

DELTA臺達HCME104610F電感器

2024-11-21 09:25:56

DELTA HCME104610F系列電感器，專為高頻應用設計，以精確電感值、低直流電阻、高電流承載能力和寬溫度范圍（-40℃至125℃）著稱，適用于電源管理、無線通信設備、消費電子和汽車電子等多種電子設備，確保高效能和小型化需求。

PMTA-1830-20-3低噪聲放大器Princeton Microwave

2024-11-21 09:09:19

Princeton Microwave的PmTA-1830-20-3低噪聲放大器，頻率范圍18至30 GHz，提供20 dB增益和±1.25 dB增益平坦度，噪聲系數3 dB，輸入輸出回波損耗均為-10 dB，輸出功率至少10 dBm，工作電壓12V，電流100mA，連接器為SMA母頭，具備50歐姆匹配、內部電壓調節、無條件穩定和密封模塊等特點，適用于-50°C至100°C的標準工作溫度范圍。

NXP LS1020A和LS1022A通信處理器：高性能、低功耗的網絡解決方案

2024-11-20 10:25:49

LS1020A和LS1022A是基于Layerscape架構的通信處理器，屬于LS1系列，專為無風扇、小尺寸的企業級和消費級網絡應用設計。它們配備了雙Arm Cortex-A7核心，最高頻率可達1.2 GHz，支持虛擬化和高性能計算，提供廣泛的集成度和能效。這兩款處理器還具備先進的安全特性，支持多種工業協議，并且與LS1021A處理器在引腳和軟件上兼容。作為NXP EdgeVerse?邊緣計算平臺的一部分，它們在網絡、PCIe、內存控制和安全引擎等方面提供了豐富的功能和擴展性。

Microsemi 1N6036A至1N6072A雙向瞬態電壓抑制器TVS

2024-11-20 10:21:17

Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列雙向瞬態電壓抑制器（TVS）二極管，具有1500W的高脈沖功率和快速響應時間，適用于保護電子設備免受感性切換、射頻感應或雷擊效應的影響。這些產品提供5.5V至185V的工作電壓范圍，采用密封的DO-13金屬封裝，并提供符合MIL-PRF-19500/507標準的軍事等級選項以及RoHS合規的商業等級。它們廣泛應用于ESD、EFT和雷擊保護，具有廣泛的溫度工作范圍和高可靠性，是高可靠性應用的理想選擇。

JANTX1N5968軍級玻璃齊納二極管Microsemi

2024-11-20 10:09:51

Microsemi公司生產的1N4954至1N4996、1N5968至1N5969、1N6632至1N6637型號的5瓦特玻璃齊納二極管是一系列高可靠性產品，適用于軍事和商業應用，具有無空隙的密封玻璃封裝和內部冶金鍵合，提供從3.3伏特到390伏特的廣泛電壓選擇，標準公差為±5%，更緊密公差選項為±2%或±1%。這些二極管在-65°C至+175°C的溫度范圍內工作，能夠耗散高達5瓦特的功率，具有優秀的電壓調節能力和ESD抗性，且固有輻射硬度，適合極端環境下的應用。

Microsemi JANTX1N5807軍級整流二極管 原裝現貨

2024-11-19 14:21:16

1N5807、1N5809和1N5811是一系列軍用級超快速恢復玻璃整流器，具備無空洞密封玻璃封裝、四層鈍化和內部冶金鍵合等特性，提供50V至150V的工作峰值反向電壓，支持高達125A的正向浪涌電流和6.0A的平均整流輸出電流，具有30ns的快速反向恢復時間，適用于軍事、航天和高性能開關電源等高可靠性應用領域。

JANTX1N5772低電容二極管陣列 10引腳陶瓷封裝Microsemi

2024-11-19 13:53:23

1N5772是一款10引腳陶瓷扁平封裝的低電容隔離二極管陣列，設計用于保護多達八個I/O端口免受ESD、EFT和浪涌的影響，具有高擊穿電壓、低漏電流和低電容特性，適用于高頻數據線、RS-232/RS-422接口網絡、以太網和計算機I/O端口等應用，并提供符合MIL-PRF19500/474標準的篩選選項。

JANTX1N5284-1電流調節軍級二極管Microsemi

2024-11-19 08:56:02

Microsemi 1N5283-1至1N5314-1系列電流調節二極管是一系列0.5瓦特的器件，提供從0.22毫安到4.7毫安的電流選擇，具有10%的標準公差。這些器件以其高源阻抗、內部冶金鍵合和軍事級別的資格而著稱，能夠在廣泛的電壓和溫度范圍內穩定調節電流。它們提供靈活的安裝選項，對ESD不敏感，并且具有固有的輻射硬度，適用于需要精確電流控制的電子應用。

LS1012ASE7EKB低功耗處理器NXP恩智浦

2024-11-18 13:53:51

LS1012A是一款低功耗處理器，專為電池或USB供電、空間受限的網絡和物聯網應用設計。它集成了Arm Cortex-A53核心，運行速度達1GHz，功耗僅為1W，支持線速網絡性能和多種高速接口。軟件上與LS家族設備兼容，屬于NXP的EdgeVerse邊緣計算平臺。特點包括單核1GHz、256 KB L2緩存、16位DDR3L SDRAM、支持高達6 Gbit/s的SerDes、PCIe 2.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0等接口，以及多種外設和安全功能，封裝為211 FC-LGA，9.6x9.6 mm。

Connor-Winfield OX200-DK 12Vdc OCXO

2024-11-18 08:55:58

OX200 - DK是12V直流驅動、CO - 8封裝的烤箱補償晶體振蕩器。專為特定需求設計，特點有頻率穩定性高（±5.0ppb）、溫度范圍寬、低功耗、低相位噪聲和抖動且RoHS合規。電氣參數包括供電電壓范圍、輸出特性，還有多種頻率穩定性相關參數。

Arizona Capacitors 60J15103聚酯/紙介電容器15KV

2024-11-13 09:26:18

Arizona Capacitors的60J15103聚酯/紙介電容器，額定電壓為15000V，電容值范圍從0.0005到0.500uf，提供±2%至20%的容差選項，工作溫度范圍為-55°C至85°C，絕緣電阻為25至50k ΩF，損耗因子在1,000Hz時為0.6%，測試電壓為額定電壓的150%，適用于高壓電路。

LA9310S7S11AA可編程基帶處理器NXP恩智浦

2024-11-12 10:59:07

Layerscape Access LA9310是一款高性能、低成本、低功耗的集成ADC/DAC數字信號處理器，專為5G基礎設施和定制通信系統設計，具備強大的VSPA DSP、高速采樣率、靈活的I/O連接和前向糾錯能力，適用于網絡監聽、小型無線電單元和中繼器等應用，提供8mm x 8mm的封裝和在105C時1.5W的最大功耗。

MAC57D5xx多核ARM基礎MCU微控制器 NXP恩智浦

2024-11-12 09:57:52

NXP的MAC57D5xx系列是一款超可靠的多核ARM基礎微控制器，專為汽車儀表盤和工業應用設計，具備Cortex-A5、Cortex-M4和Cortex-M0+多核架構，支持雙WVGA顯示和HUD變形，集成了先進的圖形處理單元和功能安全特性，滿足ISO26262 ASIL-B標準，并提供豐富的軟件支持和開發工具。

PDI V29-T-25000X-C-B-B-3-R-X壓控晶體振蕩器VCXO

2024-11-11 09:39:07

PDI VC29系列VCXO可在苛刻環境下精確輸出頻率，適用于低噪、低抖、高振環境。規格涵蓋尺寸、頻率范圍、輸出模式、穩定性、溫度、電壓等。性能參數包括調頻范圍、噪聲、啟動時間、輸出電壓、電流消耗。有4 - 6引腳配置，特定包裝材料，符合相關標準，適用于通信、精密儀器、工業自動化設備等。

Infineon英飛凌P溝道功率MOSFET

2024-11-11 09:27:06

Infineon的P溝道功率MOSFET系列專為中低功率應用設計，具有空穴流載流子、負柵極電壓需求、簡化設計和廣泛電壓等級等特點，優化電路設計并易于獲取。提供多種封裝類型，廣泛應用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關、DC-DC轉換器和低壓驅動等領域，包括工業和汽車應用，特別是車規級產品。

CWX813,CWX815,CWX823,CWX825表面貼裝CMOS時鐘振蕩器Connor Winfield

2024-11-08 09:22:56

CWX8xx系列固定頻率晶體控制振蕩器采用5.0x7.0mm表面貼裝封裝，適用于高頻率穩定性和低抖動應用，工作電壓為3.3V或5.0V，頻率穩定性為±25ppm或±50ppm，溫度范圍為-20至70°C，頻率范圍為1.0至156.25MHz，負載電容為15pF（LVCMOS）或50pF（HCMOS），存儲溫度為-55至125°C，采用密封陶瓷封裝，符合RoHS標準的無鉛焊接。

IRLML6401TRPBF：12V單通道P溝道功率MOSFET

2024-11-08 09:15:26

IRLML6401TRPBF是一款由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET，采用SOT-23封裝，專為低功耗和低頻率應用設計，具備寬廣的安全工作區域、行業標準認證、低頻應用中的高性能等特點，適用于DC開關、負載開關等應用，技術規格包括最大漏極電流-4.3A、導通電阻最大50mΩ等，非常適合電源管理、電機控制和電池供電設備。

Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶體管3.3-5.0GHz

2024-11-07 09:03:57

Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射頻功率晶體管，專為3400 MHz至3800 MHz頻率范圍內的基站應用設計。其特點包括緊湊的8 mm x 8 mm QFN封裝、5G mMIMO優化、高效率Doherty配置、寬帶操作、內部匹配設計以及優秀的數字預失真能力。適用于多載波應用，提供高帶寬和高數據速率，技術參數包括110W名義輸出功率、48V漏源電壓、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏極效率。