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DELTA HCUVD6595電感器規格與特性

2025-02-18 08:59:53

DELTA HCUVD6595系列電感器提供0.2至1.0微亨的電感值范圍，最大直流電阻為0.85毫歐，可承受12至66A的飽和電流和28A的有效電流。其緊湊的物理尺寸最大為6.5x6.5x9.5毫米，適合電源管理和信號處理等多種電子應用。該系列產品在25°C、100kHz和1V條件下具有穩定的電氣特性。

Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片

2025-02-14 09:18:42

IRGB15B60KD是一款集成了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和超快軟恢復二極管的組合器件，具有低導通電壓和低二極管正向壓降，適用于高效率和高可靠性的電機控制應用。其特性包括10μs短路能力、正溫度系數和超軟恢復特性，有效降低電磁干擾（EMI）。該器件支持600V集電極-發射極電壓，最大集電極電流為31A，并具備優異的熱阻抗和開關損耗性能，為高功率密度和低功耗需求提供了理想解決方案。

Linear Systems：高性能半導體解決方案的領導者

2025-02-13 09:01:23

Linear Systems（全稱Linear Integrated Systems）由John H. Hall于1987年創立，總部位于美國加州硅谷，專注高性能分立半導體器件的設計、開發與制造，憑借深厚技術積累服務高精度和高可靠性要求領域。其主要產品有超低噪聲JFET、高速橫向DMOS開關、低漏電流二極管、電流調節二極管等多種類型。產品應用于音頻、工業控制、醫療電子、軍事與航天、測試與測量等領域。該公司具有專利與專有技術，產品在噪聲、速度和精度等方面表現出色，專注為高端市場提供高性能半導體產品，滿足高端應用需求。

QT1123L80M-32.768KHz CMOS低電流高溫RTC晶振芯片

2025-02-12 09:20:48

QT1123L是Q - Tech公司生產的高性能實時時鐘（RTC）芯片，專為高溫應用設計，具備低功耗、高穩定性等特點，能為需精確時間記錄和數據存儲的設備提供可靠時鐘方案。其特性包含特定輸出頻率、工作電壓、寬工作與存儲溫度范圍等參數，還提供報警、中斷等功能。該芯片適用于數據記錄和實時時鐘功能，采用SPI總線接口支持快速通信，可通過時鐘控制寄存器選擇多種輸出頻率。它采用Kovar材料封裝，抗腐蝕且適合惡劣環境，引腳功能豐富，能滿足不同連接和控制需求。

PmT-3210-Frequency(0.3-24GHz)相位鎖定振蕩器

2025-02-12 09:17:52

PmT - 3210 - Frequency (GHz) 是 Princeton Microwave Technology Inc. 生產的高性能相位鎖定振蕩器（PLO），專為高頻率穩定性、低相位噪聲和寬頻率范圍應用設計，適用于通信、雷達等領域。

NXP LS1043A低功耗4核通信處理器

2025-02-11 08:54:26

LS1043A是NXP公司推出的首款四核、64位Arm?架構的Layerscape系列處理器，提供超10 Gbps性能，適用于小尺寸、低功耗的網絡、工業和汽車等應用。它支持無風扇設計，優化了物料清單，有0.9V低功耗版本，23x23封裝選項與其他處理器引腳兼容，相比雙核32位Arm處理器性能顯著提升，還集成QUICC Engine?支持傳統接口，是NXP的EdgeVerse?邊緣計算平臺一部分。其應用場景廣泛，涵蓋網絡設備（如小型交換機、路由器）、工業自動化（支持Profibus等協議的設備）、汽車電子（車載網絡系統）以及物聯網（作為邊緣計算設備核心處理器）。

Ampleon BLF13H9L750P功率晶體管：1.3GHz加速器應用

2025-02-10 09:02:02

Ampleon作為全球領先的射頻功率半導體解決方案提供商，依托NXP近60年在射頻功率領域的技術與經驗積累，為無線通信、廣播等多領域提供高性能射頻功率產品，廣泛應用于5G基礎設施等場景，彰顯卓越實力與廣泛影響力。主要用于1.3GHz頻率的粒子加速器等高功率射頻應用。

iNRCORE BMS變壓器：電池管理系統的關鍵組件及其應用

2025-02-08 08:45:55

iNRCORE的 BMS 變壓器能滿足現代 BMS 苛刻要求，具備寬工作溫度范圍、AEC - Q200 認證等特點。此外，在為應用選擇 BMS 變壓器時，需考慮隔離要求、通信協議、大小約束、環境條件、EMI 性能、通道數以及爬電距離和電氣間隙等因素。

Statek ULPXO石英晶體振蕩器超低功耗32.768 kHz

2025-02-08 08:40:35

Statek ULPXO 振蕩器專為惡劣環境中需超低功耗且能在高沖擊水平下生存的應用設計，由高沖擊調諧叉石英諧振器和 CMOS 兼容集成電路組成，密封于高沖擊陶瓷封裝。其主要特點有 5.0 x 1.8 mm 密封陶瓷封裝、超低電流消耗、高沖擊抗性達 30,000 g 等，且提供全面軍事測試，在美國設計、制造和測試。應用于醫療（患者監測設備）、國防與航空航天（堅固實時時鐘）、工業（時間保持模塊）及物聯網等領域。

Vishay 134D/134J/134L濕式鉭HI-TMP電容器

2025-02-08 08:37:19

Vishay 134D、134J、134L 濕式鉭 HI - TMP? 電容器是專為高沖擊和振動性能設計的高性能產品，采用鉭外殼和玻璃到鉭的密封技術，可在 - 55°C 至 + 200°C 極端溫度下穩定工作，具有高電容值、低漏電流和長壽命特點。其特點包括提供多種電容值、密封設計保障惡劣環境可靠性、寬溫度范圍、多種引腳類型（134D 軸向通孔引腳、134J 和 134L 為不同類型 SMD 引腳）、符合 RoHS 標準且有 100% 錫端子選項。性能特性涵蓋工作溫度、電容容差、直流漏電流及壽命測試等方面。適用于工業、石油勘探及高溫/高應力環境等領域，還提供了訂購指南。

QTCH350UD92-20.000MHz高溫微型SMD晶體振蕩器

2025-02-06 09:03:30

QTCH系列晶體振蕩器支持1MHz至48MHz基本模式頻率，能在1.8Vdc至5.0Vdc寬電壓范圍工作，功耗低于3mA，工作溫度范圍為 -55oC至 +200oC。該產品適用于鉆井和數據記錄工具、石油服務行業等高溫環境下的電子設備。

Connor-Winfield VSM61/VSM62/VSM64 6引腳表面貼裝VCXO

2025-02-02 10:01:38

Connor-Winfield的6引腳表面貼裝VCXO提供VSM61**#、VSM62**#和VSM64**#三種型號，頻率范圍均為2MHz至100MHz，頻率穩定性分別為±25ppm、±50ppm和±20ppm。

銅箔在ROGERS高頻電路材料中的使用

2025-02-01 10:32:11

本文介紹了Rogers公司高頻電路材料中銅箔的類型、表面粗糙度及其對性能的影響。Rogers提供多種銅箔，包括電沉積銅箔、軋制銅箔、電阻銅箔和反轉處理銅箔，以滿足不同應用場景需求。銅箔表面粗糙度越高，導體損耗越大，影響信號傳輸效率。Rogers通過優化工藝降低粗糙度，提高高頻電路性能。其高頻材料廣泛應用于航空航天、通信等領域，為現代高頻電子技術發展提供支持。

Ampleon CLF24H4LS300P大功率晶體管

2025-01-28 10:18:55

Ampleon CLF24H4LS300P是一款300W的GaN-SiC HEMT功率晶體管，專為2400 MHz至2500 MHz頻率范圍內的烹飪、工業、科學和醫療應用設計。它具有高效率、優秀的堅固性和寬帶操作能力，內部輸入匹配，無需外部匹配網絡，且符合RoHS合規性。在VDS = 50V，VGS = -5V，環境溫度25°C的類AB/類C應用電路中，該晶體管在連續波(CW)條件下輸出功率為320W，增益為14dB，效率為74%；在CW脈沖條件下輸出功率為350W，增益為14dB，效率為75%。它采用SOT1214B無耳法蘭陶瓷封裝，具有良好的熱特性和電氣特性，適用于RF功率放大器。

JAN1N5195US軍用級開關二極管Microsemi

2025-01-22 08:47:23

Microsemi 1N5195是符合MIL-PRF-19500/118標準的軍用級開關二極管，認證等級有JAN、JANTX、JANTXV 。其最大額定值（@25°C）包括工作和存儲溫度均為 -65°C至 +175°C，浪涌電流（正弦波，8.3毫秒）2A，總功率耗散500mW，最大工作電流200mA，直流反向工作電壓180V。設計數據方面，采用符合MIL-PRF19500/118 DO-35輪廓的密封玻璃封裝，引線材料為銅包鋼，表面處理是錫/鉛，熱阻抗最大70°C/W，極性為帶環的陰極端。

PmTA-620-40-2.5低噪聲放大器Princeton Microwave

2025-01-22 08:42:41

Princeton Microwave PmTA-620-40-2.5低噪聲放大器頻率6 - 20 GHz，小信號增益≥40 dB，中頻段噪聲系數2.5 dB，50Ohm輸入輸出匹配，有內部調節和偏置排序，無條件穩定，密封模塊，工作溫度 -50°C至100°C。

RO4003C,RO4350B,RO4360G2,RO4835層壓板:高性能電路材料的介紹與應用

2025-01-22 08:38:00

RO4000? 系列高頻電路材料是玻璃增強型碳氫化合物和陶瓷（非PTFE）層壓板，專為性能敏感、高容量商業應用設計，能提供卓越高頻性能與低成本電路制造，可用標準FR-4工藝制造。其中RO4003C?等部分層壓板可與Ticer TCR薄膜電阻箔包覆，有特定箔厚與電阻值，1oz厚銅箔可特殊訂購。

Statek CXOXULPHT 32.768kHz表面貼裝振蕩器

2025-01-20 09:03:22

Statek CXOXULPHT 32.768 kHz振蕩器實現低功耗運行，采用調諧叉設計，具備最快啟動時間與緊湊頻率穩定性，專為超低電流（典型55 μA）和快速啟動（典型2 ms）應用打造，能在高達 +200°C高溫運行且抗沖擊性強。其主要特點有高溫操作、超低電流、快速啟動、高沖擊抗性、低老化、CMOS輸出等多項優勢，產品設計制造于美國且提供全面軍事測試。該振蕩器適用于工業領域多種設備，規格參數涵蓋頻率、電源電壓、校準容差、頻率穩定性、輸出負載、老化、沖擊、振動及工作溫度范圍等多方面指標 。

Linear Systems LS840,LS841,LS842 JFET放大器

2025-01-17 08:50:11

Linear Integrated Systems（LIS）推出的LS840、LS841、LS842是低噪聲、低漂移、低電容的單片雙N溝道JFET放大器，專為高性能模擬信號處理設計。其關鍵特性包括超低噪聲、超低漏電流、低溫度漂移、低偏移電壓、寬溫度工作范圍、高可靠性；電氣性能方面，有特定的最大電壓和電流承受能力、最大功耗，具備高跨導、高共模抑制比、低噪聲系數；提供TO-71、TO-78、P-DIP、SOIC等多種封裝選項；適用于音頻放大、精密測量設備、傳感器信號調理等高精度高可靠性應用。

Vishay 109D系列濕式鉭電容器

2025-01-16 08:48:27

Vishay 109D系列濕式鉭電容器是面向工業、汽車和電信應用設計的高性能電容器，采用燒結陽極TANTALEX?技術，有軸向通孔引腳，提供標準錫/鉛（SnPb）和100%錫（符合RoHS標準）兩種端子選項，能在 -55°C至 +125°C寬溫度范圍穩定工作，還給出了應用領域及訂購指南 。