丁香午夜,草色在线,国内精品视频一区

ADI晶圓各種材料工藝對(duì)應(yīng)輸出功率及頻率

發(fā)布時(shí)間：2021-05-21 17:09:32 瀏覽：2601

在電子器件中，射頻和功率應(yīng)用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導(dǎo)體(射頻前端PA等)，而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導(dǎo)體(汽車電子學(xué)等)。

由于其高功率密度，GaN在基站大功率器件領(lǐng)域具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。與硅襯底相比，SiC襯底具有更好的導(dǎo)熱特性。目前，工業(yè)上95%以上的GaN射頻器件使用SiC襯底，如Qorvo是基于SiC襯底的，硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作，具有更高的成本優(yōu)勢(shì)。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中，SiC襯底與GaN on Silicon的競(jìng)爭(zhēng)僅占該領(lǐng)域的一小部分。GaN市場(chǎng)主要集中在低壓領(lǐng)域，而SiC主要用于高壓領(lǐng)域。他們的邊界約為600 V。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢(shì)渠道提供ADI晶圓產(chǎn)品Waffle,專業(yè)此道，歡迎合作。

詳情了解ADI Wafer Products請(qǐng)點(diǎn)擊：/brand/68.html

或聯(lián)系我們的銷售工程師：0755-83050846 QQ: 3312069749

上一篇: DYTRAN 3168D2系列機(jī)載加速度計(jì)

下一篇: Bird-射頻專家精密功率傳感器

第一福利在线_久久久久久网_2019中文字幕在线播放_91综合网_亚洲一区二区视频在线_91av视频在线免费观看