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  Solitron SD11720 N溝道功率MOSFET 2024-07-22 10:19:25

  SD11720是一款SiC N溝道功率MOSFET，由Solitron Devices, Inc.推出，專為高效率和可靠性的功率電子應用設計。采用先進的碳化硅技術，提供卓越的電氣和熱性能，適用于工業和能源應用。主要特點包括58A漏極電流、50mΩ導通狀態電阻和TO-247-3塑料封裝。優勢包括低導通電阻的高阻斷電壓、低電容的高速開關、高工作結溫能力（高達175°C）和較強的內置體二極管性能。應用領域包括太陽能逆變器、不間斷電源、電機驅動器、高電壓直流/直流轉換器和開關模式電源。SD11720的高性能和廣泛應用使其成為功率電子領域的關鍵組件，滿足現代系統對高效率和高可靠性的要求。

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  Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器 2024-10-22 08:57:02

  Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅固MOS結構，具有低介電損耗和高Q值，支持多種線焊點，A型外殼最少7個焊點，B型外殼最少15個焊點，且負載壽命穩定性出色。其關鍵優勢包括絕對容差低至±5%，溫度系數低至±50ppm/°C。應用領域廣泛，包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應用。電氣規格涵蓋電容范圍5-100pF，工作溫度-55至+150°C，最大工作電壓100V。機械規格方面，芯片基板為硅，介質為二氧化硅，頂部覆蓋層為至少1微米厚的金，外殼尺寸和焊盤數量符合特定要求。