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  Vishay CBA3750CLAKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容器 2024-11-06 09:09:59

  Vishay CBA系列MOS電容器有兩種總電容版本，電容以二進(jìn)制增量在0.25 pF - 15 pF間配置，提供多種選擇。該電容器可線焊，采用特定介質(zhì)和基板，尺寸小，用于微波電路混合封裝。其電氣規(guī)格涵蓋工作電壓、損耗因數(shù)、Q值、溫度系數(shù)和工作溫度范圍等。

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  MSD5xA1G系列3.3V晶體控制振蕩器(XO)Connor Winfield 2024-12-26 09:13:15

  Connor Winfield MSD5xA1G系列是密封表面貼裝3.3V晶體控制振蕩器（XO），HCMOS/TTL兼容且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，專為需低抖動(dòng)和嚴(yán)格頻率穩(wěn)定性的應(yīng)用設(shè)計(jì)；產(chǎn)品系列包括MSD54A1G（頻率容差±20ppm）等不同型號(hào)；規(guī)格參數(shù)涉及頻率范圍1.8 - 156.25 MHz、存儲(chǔ)溫度-55至125°C等；主要特性有3.3V操作、低抖動(dòng)等；操作規(guī)格涵蓋操作溫度范圍、供電電流、抖動(dòng)及相位噪聲等相關(guān)數(shù)據(jù)；輸入特性、HCMOS輸出特性分別有對(duì)應(yīng)具體參數(shù)。