DELTA臺(tái)達(dá)HCB444-101IN電感器 現(xiàn)貨庫(kù)存
發(fā)布時(shí)間:2025-02-19 08:45:00 瀏覽:422
HCB444-101IN 是臺(tái)達(dá)DELTA HCB444 系列中的一款功率電感,以下是其主要參數(shù)和特性:
Electrical Characteristics @25℃,100kHz,1V | |||||||
Delta P/N | L1 (nH) | Li (nH)MIN | DCR (mΩ) | Isat2 (A) | Ir3 (A) | ||
25℃ | 100℃ | 125℃ | |||||
HCB444-500 | 50 | 34 | 0.32±9% | 29 | 26 | 21 | 19 |
HCB444-650 | 65 | 44 | 26 | 22 | 19 | ||
HCB444-800 | 80 | 51 | 22 | 17 | 16 | ||
HCB444-101 | 100 | 64 | 17 | 13 | 12 |
參數(shù)
電感值:100nH,容差為 ±20%。
直流電阻 (DCR):0.00032Ω。
飽和電流 (Isat):17A。
最大電流 (Ir):在 25℃時(shí)為 13A,在 100℃和 125℃時(shí)分別為 12A。
工作溫度范圍:-40℃至125℃。
封裝形式:SMD,尺寸為 4.3×1.7×1.4mm。
特性
該電感器專(zhuān)為高性能和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì),具有強(qiáng)大的電流承載能力和寬廣的溫度范圍操作能力。
具有低損耗特性,適用于服務(wù)器、GPU等高功率應(yīng)用場(chǎng)景
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,授權(quán)代理銷(xiāo)售DELTA臺(tái)達(dá)電感產(chǎn)品系列,大量現(xiàn)貨庫(kù)存。
推薦資訊
Microsemi 1N5195是符合MIL-PRF-19500/118標(biāo)準(zhǔn)的軍用級(jí)開(kāi)關(guān)二極管,認(rèn)證等級(jí)有JAN、JANTX、JANTXV 。其最大額定值(@25°C)包括工作和存儲(chǔ)溫度均為 -65°C至 +175°C,浪涌電流(正弦波,8.3毫秒)2A,總功率耗散500mW,最大工作電流200mA,直流反向工作電壓180V。設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)方面,采用符合MIL-PRF19500/118 DO-35輪廓的密封玻璃封裝,引線(xiàn)材料為銅包鋼,表面處理是錫/鉛,熱阻抗最大70°C/W,極性為帶環(huán)的陰極端。
MICRON? DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的帶寬。除了優(yōu)良的性能指標(biāo)外,MICRON DDR3還具備較低的工作電壓范圍。其結(jié)果可能是在消耗相同或更少的系統(tǒng)功率的同時(shí),具有更高的帶寬。
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